P—N结是怎样形成的

       

开始时，有人把P型材料和N型材料用机械的方法结合在一起，结果都不成功。这说明，PN结升不是将P型半导体与N型半导体简单地连接在一起就可以了，而是要通过各种不同的工艺，使半导体的一部分呈N型，另一部分呈P型。常用的形成卜N结的方法主要有合金法、扩散法、离子注入法和薄膜生长法，其中扩散法是目前硅太阳能光伏电池的P-N结形成的主要方法。
如图2—5所示，这是一块P型和一块N型半导体独立存在时的情况。此时，P型与N型  半导体是各自单独存在的，并没有形成P—N结。从图中可以看出，它们单独存在时，在P型  半导休中，成为载流千的牢穴具有正电荷，--而所生成的阴离子在电量上与它们相等。同理，在N型半导体中也由于电子与阳离子的电量相等而呈中性。
如图2—6所示，当P型与N型两种半导体结合在——起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电广和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。P型区的空穴向N型区扩散，而N型区的电子向P型区扩散。

出自：松下蓄电池